随着科学技术的飞速发展
， 集成度迅速提高
， 器件 的特征尺寸不 断减小
， 对于衬
底 片表面状态的要求更加严格
。 衬底 的表面状态及污染物的去除程度是影 响 晶片优 良率和
器件质量与可靠性 的最重要的因素之一
。 在 的制备过程 中
， 氧化
、 外延
、 扩散
、 光
刻 以及 多层布线的全局平面化等工序都要涉及到去 除污 染物的清洗
， 清洗最多可 以达到
多次
。 目前清洗不 但要 去 除硅片表面 的有机物而且需要去 除的颗粒尺 寸 已 经达到 了纳 米
级
， 金属 离子达到 了 级
。 因此发 明适应超大规模集成 电路要求的新型 的清洗液和 新型
的清洗技术是 当务之 急
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