晶硅异质结太阳电池的理论结构设计
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匿名用户 2022-10-17
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宽带隙发射极的好处:
(1)较大的价带失配度AE使发射极费米能级E下移,增大与基区之间的费米能级差,利于提高电池开路电压。
(2)较大的导带失配度AE对基区电子形成明显的扩散阻挡,减少
电子扩散到发射极与空穴复合。
(3)窗口层效应,发射极寄生吸收更小,更多太阳光进入基区产生光生电流。
宽带隙发射极的缺点:
过大的价带失配AE对基区空穴输运穿过异质结界面到发射极中产
生阻碍,在最大功率点工作时,隧穿概率很小,由此导致电池填充因子降低!