将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒，从头至尾间隔一定距离切割出5 组硅片，采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERCnassivated emitter and rear cell) 后对其进行了暗退火(200℃.30min)→第1次光衰(45℃1sun12h)→电注入复原(175℃18A30min)→第2次光衰(45°sun.12h)处理，并对其在处理过程中的性能变化进行了跟踪测试