摘    要 ：使用磁控溅射设备制备 ITO 薄膜和全面积银电极，该文分析了 ITO 薄膜沉积速率、方块电阻、电阻率 和透射率的变化情况，以确定最佳工艺，再对电池的发射极和 n 型多晶硅钝化性能进行测试分析。使用最佳工艺 在 TOPCon 半成品电池正面和背面沉积 ITO 薄膜和银电极，测试、分析其对电性能的影响。研究结果表明，当 溅射时间为24 min 时，电阻率相对较小，透过率对应值大约为88% 和86%。当正面光照 IV 测试时，TOPCon 电 池背面沉积 ITO 薄膜和银电极比常规浆料印刷电极的短路电流、填充因子和转换效率分别高了61 mA、1.6% 和 0.28%，且全面积金属电极与氧化硅层、衬底及多晶硅层的接触电阻满足要求。 关键词 ：TOPCon 电池 ；新型金属化 ；发射极 ；n 型多晶硅 ；ITO 薄膜