摘要：本文主要对低压化学气相沉积（ＬＰＣＶＤ）法制备 Ｎ 型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触（ ＴＯＰＣｏｎ）电池工艺进行研 究。 分析 ＬＰＣＶＤ 法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素，研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中 Ｐ 掺 杂量对太阳能电池转换效率的影响。 结果表明：当隧穿氧化层厚度在 １． ５５ ｎｍ 时，钝化效果最佳；多晶硅层厚度 １２０ ｎｍ时 Ｖｏｃ达到最高值；多晶硅层厚度在 ９０ ｎｍ 时 Ｅｆｆ最高。 当 Ｐ 掺杂量为 ３． ０ × １０１５ ｃｍ － ２时可获得较高的 Ｖｏｃ，原因 是随着 Ｐ 掺杂量的增加，多晶硅层场钝化效果提高。