随着超大规模集成 电路 的发展 ‚ 硅片尺寸将不 断增大 ‚ 刻线宽度从亚微米 向纳米级 发展 。 基体表面的亚微米级污物足 以导致芯片的缺陷产生 ‚ 因此对半导体硅片表面质量 的要求也越来越严格 。 传统的清洗方法 ‚ 如 R以 清洗 、 机械刷片清洗 、 超声波清洗等 ‚ 或者不能有效的去 除微米亚微米级颗粒 ‚ 或者 即使能够去除 ‚ 但会对基体表面造成一定 程度的损伤 ‚ 同时 ‚ 大量有毒化学试剂的使用也会对环境造成危害 。 激光清洗是一种新 型的非接触式清洗技术 ‚ 它具有清洗效率高 、 可灵活选择清洗区域 、 无环境污染等优点 ‚ 在清洗闭值和损伤闭值之 间的能量密度范 围内 ‚ 即可满足表面洁净技术的要求 ‚ 又不破 坏硅片表面 的原始形貌 ‚ 是一种非常具有发展潜力及实用价值的清洗技术