LPCVD在光伏产业的应用
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匿名用户 2020-12-20
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在半导体芯片工艺中有一层1~2nm的隧道层(SiO2) ,此膜层的存在可以
实现量子隧穿效应,而此膜层的均匀性及结构可以直接影器件的量子隧
穿效应, 根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管
Tunneling Field-Effect Transistor 简称 TFET
根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池
Tunnel Oxide Passivated Contact,简称 TOPCon