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文件叙述了半导体硅片金属微观污染机理研究进展
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文件叙述背面抛光PERC电池的制备方法
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在半导体芯片工艺中有一层1~2nm的隧道层(SiO2) ,此膜层的存在可以 实现量子隧穿效应,而此膜层的均匀性及结构可以直接影器件的量子隧 穿效应,  根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管 Tunneling Field-Effect Transistor 简称 TFET  根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池 Tunnel Oxide Passivated Contact,简称 TOPCon
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风/光和终端电力占比的提升使的电力安全(波动、不确定、负荷由无源变为有源)挑战巨大。 储能具备能量存储和释放的调节功能,可以高效的实现能量的时空迁移,提高电力系统稳定性,将逐渐成为刚需和标配。
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去除磷硅玻璃
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