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铸造单晶硅材料-生长和缺陷控制
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 铸锭技术起源  铸锭技术产业化和发展  新一代铸锭单晶技术特点  荣德新能源介绍
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Defect propagation control in the growth of high-performance mc-Si ingot
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第四代铸锭单晶硅片产品 • 边长:158.75mm、162.75mm、 166mm等,尺寸灵活 • 厚度:160~180μm • 电阻率:0.8~1.4Ω•cm • 金刚线切割 • 推荐使用碱制绒 • 适用于PERC\MWT\MBB\双面\topcon等各种电池工艺 • 适用于半片、拼片、叠瓦组件等各种组件技术
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文件叙述用于连续生长单晶的大颗粒多晶硅的生产-Sunnyside
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