摘 要:银铝浆是新一代太阳能电池(N 型 TOPCon)的关键材料，但其金属化后在 Si 发射极表面形成很大且很
深的“银铝尖钉”，尖钉易击穿 P-N 结造成短路，成为限制其应用的瓶颈。引入 Si、Ga 元素对银铝浆进行
优化，分别制备了掺 Si 和掺 Ga，Si 的银铝浆，研究其对金属化区域暗态饱和电流密度 J0.metal、欧姆接触电
阻 Rc的影响机制。结果表明：掺入少量 Si 后，金属化区域未见明显“银铝尖钉”，说明掺 Si 后抑制了在浆
料金属化时出现“银铝尖钉”的现象，对 P-N 结损伤较小，J0.metal 下降，开路电压 Voc上升，但是 Rc增大。
再掺入 Ga 组分后“银铝尖钉”明显变浅，数量变多，Rc下降，弥补了掺 Si 银铝浆欧姆接触差的弊端，有较
高的电池转换效率；用扩散浓度测试仪(ECV)对发射极表层进行元素浓度分析，发现 Ga 分布于表层 0~50 nm
处，有利于改善欧姆接触。研究了 Ga、Si 的掺入量对银铝浆电性能的影响，电池转换效率最高达到 24.68%，
太阳能电池效率提升 0.55%。
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