随着超大规模集成 电路 的发展
硅片尺寸将不 断增大
刻线宽度从亚微米 向纳米级
发展
。 基体表面的亚微米级污物足 以导致芯片的缺陷产生
因此对半导体硅片表面质量
的要求也越来越严格
。 传统的清洗方法
如 R以 清洗
、 机械刷片清洗
、 超声波清洗等
或者不能有效的去 除微米亚微米级颗粒
或者 即使能够去除
但会对基体表面造成一定
程度的损伤
同时
大量有毒化学试剂的使用也会对环境造成危害
。 激光清洗是一种新
型的非接触式清洗技术
它具有清洗效率高
、 可灵活选择清洗区域
、 无环境污染等优点
在清洗闭值和损伤闭值之 间的能量密度范 围内
即可满足表面洁净技术的要求
又不破
坏硅片表面 的原始形貌
是一种非常具有发展潜力及实用价值的清洗技术
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