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PERC LPCVD制备多晶硅薄膜的性能

对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究，重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590~6359沉积温度内，多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系，钝化性能随着沉积温度的增加先变优再变差:在250~1150cm’min硅烷体积流量内，多晶硅薄膜的生长速率与硅烷体积流量其本呈线性关系，当硅烷体积流量为1150cmmin时，钝化性能明显变差:随着多晶硅薄膜厚度增加，钝化性能先变优后稳定。使用优化后的工艺制备多晶硅薄膜样品并对其进行测试，测试结果表明样品的隐性开路电压为749mV，饱和电流密度为1.46fA/cm，钝化性能最佳。

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PERC 基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原

将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒，从头至尾间隔一定距离切割出5 组硅片，采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERCnassivated emitter and rear cell) 后对其进行了暗退火(200℃.30min)→第1次光衰(45℃1sun12h)→电注入复原(175℃18A30min)→第2次光衰(45°sun.12h)处理，并对其在处理过程中的性能变化进行了跟踪测试

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PERC 硅片表面织构对“SE PERC”双面单晶硅太阳电池电性能影响的研究

在硅片制绒过程，研究了制绒添加剂体积分数、反应时间和反应温度对单晶硅片表面织构的微观形貌、反射率，以及制备的“选择性发射极(SE)+PERC”双面单晶硅太阳电池电性能的影响

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PERC 电池片技术主流路线分析、经济效应及规模测算

光伏核心在于提效降本，而电池片为最主要的创新方向。光伏提效路径主要包括电学+光学两方面创新，电学主线主要要系P型向N型的迁移，界面钝化优化为最关键方向，代表性技术路线未TOPCon及HJT;而光学主线为改善遮光面积、提高光吸收率等，代表性路线为XBC、MWT等。薄膜电池同样具具备一定潜力，其中钙钛矿进步速度快、明后年或有少量中试产线落地。而降本主要包括晶硅及非硅两方面的努力，仍有可观空间。

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PERC 电势诱导衰退和湿热衰退PERC太阳能电池的修复与增效

针对P型钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池在服役期间受到电势衰退和湿热诱导衰退影响而引起光电转换效率降低的问题，本文通过光电注入和热退火工艺对已衰退电池进行修复并研究其增效机制。

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