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一、M6大尺寸硅片对制造设备的挑战二、M6大尺寸硅片制造设备兼容性现状分析三、M6大尺寸硅片制造可行性及保障措施四、总结

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在半导体芯片工艺中有一层1~2nm的隧道层(SiO2) ，此膜层的存在可以实现量子隧穿效应，而此膜层的均匀性及结构可以直接影器件的量子隧穿效应，  根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管 Tunneling Field-Effect Transistor 简称 TFET  根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池 Tunnel Oxide Passivated Contact,简称 TOPCon

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