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摘  要 为推动 n 型 TOPCon 光伏电池标准化,基于 n 型电池技术发展现状,对 n 型 TOPCon 电池标准指标 展开理论分析,并开展弯曲度与电极抗拉强度、可靠性、初始光致衰减等标准指标的试验验证,最后提出 n 型 TOPCon 电池标准化的建议。
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摘要:本文主要对低压化学气相沉积(LPCVD)法制备 N 型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触( TOPCon)电池工艺进行研 究。 分析 LPCVD 法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中 P 掺 杂量对太阳能电池转换效率的影响。 结果表明:当隧穿氧化层厚度在 1. 55 nm 时,钝化效果最佳;多晶硅层厚度 120 nm时 Voc达到最高值;多晶硅层厚度在 90 nm 时 Eff最高。 当 P 掺杂量为 3. 0 × 1015 cm - 2时可获得较高的 Voc,原因 是随着 P 掺杂量的增加,多晶硅层场钝化效果提高。
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摘    要 :使用磁控溅射设备制备 ITO 薄膜和全面积银电极,该文分析了 ITO 薄膜沉积速率、方块电阻、电阻率 和透射率的变化情况,以确定最佳工艺,再对电池的发射极和 n 型多晶硅钝化性能进行测试分析。使用最佳工艺 在 TOPCon 半成品电池正面和背面沉积 ITO 薄膜和银电极,测试、分析其对电性能的影响。研究结果表明,当 溅射时间为24 min 时,电阻率相对较小,透过率对应值大约为88% 和86%。当正面光照 IV 测试时,TOPCon 电 池背面沉积 ITO 薄膜和银电极比常规浆料印刷电极的短路电流、填充因子和转换效率分别高了61 mA、1.6% 和 0.28%,且全面积金属电极与氧化硅层、衬底及多晶硅层的接触电阻满足要求。 关键词 :TOPCon 电池 ;新型金属化 ;发射极 ;n 型多晶硅 ;ITO 薄膜
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一道新能TOPCon3.0进展及光伏产业技术迭代第一性原理
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微导纳米 - PE-TOPCon 高效电池技术与设备GW级量产的最新进展
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